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• Next-generation 3D DRAM approaches reality as scientists achieve 120-layer stack using advanced deposition techniques

（首圖來源：shutterstock）

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比利時 imec（比利時微電子研究中心） 與根特大學（Ghent University） 宣布，本質上仍是 2D
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雖然 HBM（高頻寬記憶體）也常稱為 3D 記憶體，使 AI 與資料中心容量與能效都更高。

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